6月25日，14名美国消费者和3家PC零售小企业在加州北区联邦法院起诉三星、SK海力士、美光及其美国子公司。核心指控是，这三家占据全球九成以上DRAM市场的寡头，从2022年起同步削减传统DDR3、DDR4产能，转产高利润的HBM内存，以‘AI技术转型’为幌子，人为制造消费级内存供应缺口，使价格拉涨700%。
存储行业价格操纵并非首次。早在2000年初，三星、海力士、美光等厂商就曾私下串通定价，炒高DRAM价格。后来美国司法部介入，三星认罪交3亿美元罚款，欧盟开3.3亿欧元罚单，美光告密免罚。此次原告搬出前科，指三巨头故技重施。不过，美国反垄断案证明‘显性合谋’需实锤证据，2022年类似诉讼因原告拿不出明确协议证据被驳回。
这起反垄断诉讼给韩企带来危机感。当下AI热潮中，HBM需求暴涨，但传统DDR需求仍在。三星、SK海力士有能力扩产DRAM以避免被起诉。6月29日，韩国官宣800万亿韩元半导体投资，约三成用于西南部新建巨型晶圆厂，三星欲集中HBM产能，把控DRAM市场，防止传统存储被中企抢占。
国产存储进程加快，自给率从5%提升到25%，预计2028年超30%。长江存储3D NAND密度全球顶尖，长鑫存储DDR4、LPDDR4量产，LPDDR5X进入大客户供应链。长鑫存储产能集中在通用DRAM领域，供货弹性好。苹果公司正游说美国政府，希望获批采购长鑫存储内存芯片。
编辑观点：此次反垄断诉讼给中企带来缓冲期，韩企需应对中美双重压力。中企背靠大市场，有机会在存储芯片领域突围，与韩企展开激烈竞争。