所有存储器可以分成两大类
一：易失性存储器（Volatile Memory）
①：SRAM
SRAM = Static Random Access Memory
中文：静态随机存取存储器
核心一句话
高速、无需刷新、掉电丢失，用于“运行中的临时数据”
特点
⚡ 速度最快（CPU同级访问）
❌ 掉电即丢数据（易失性）
❌ 成本高、面积大
❌ 容量一般较小
❌ 不需要刷新
嵌入式用途
变量（全局/局部）
堆（heap）
栈（stack）
DMA缓存
典型位置
STM32内部RAM
CPU Cache（本质也是SRAM）
②：DRAM
DRAM = Dynamic Random Access Memory
中文：动态随机存取存储器
核心一句话
大容量、便宜、需要刷新、用于“运行缓存扩展”
特点
⚡ 比SRAM慢
✔ 容量大、密度高
❌ 必须周期刷新（Refresh）
❌ 控制复杂（需要控制器）
❌ 掉电丢失
嵌入式用途
SDRAM（LCD framebuffer）
Linux系统内存（DDR）
大数据缓存
典型形式
SDRAM（嵌入式常见）
DDR SDRAM（高端SoC）
二：非易失性存储器（Volatile Memory）
③：EEPROM
英文全称：EEPROM = Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：电可擦可编程只读存储器
核心一句话
小容量、可字节擦写、用于“参数长期保存”
特点
✔ 掉电不丢失
✔ 可以按“字节/很小粒度”写入
❌ 写入慢
❌ 擦写寿命有限
❌ 容量小（KB级常见）
嵌入式用途
参数保存（PID参数、校准值）
设备ID
少量配置数据
工程现实
👉 很多MCU没有真正EEPROM
→ 用Flash模拟EEPROM
④：Flash
英文全称：Flash Memory
中文：闪存
核心一句话
大容量非易失存储，但“必须整块擦写”
特点
✔ 掉电不丢失
✔ 容量大
❌ 写入前必须擦除（块/页）
❌ 写入次数有限
❌ 写入速度比RAM慢
细分特点（工程重点）
NOR Flash
✔ 可执行代码（XIP）
✔ 随机读取
❌ 写慢
👉 用于：MCU程序存储
NAND Flash
✔ 容量巨大
✔ 成本低
❌ 不能直接执行
❌ 需要ECC + 控制器
👉 用于：SD卡 / eMMC
SPI Flash（工程最常见）
✔ NOR Flash + SPI接口
✔ 引脚少
✔ 易扩展
👉 用于：STM32外扩、ESP32、文件系统
三：总结
四：SD卡
SD卡在嵌入式存储体系里不属于SRAM/DRAM/EEPROM/Flash这一层级分类，它属于更上层的一类：
基于 NAND Flash 的“存储卡系统（Storage Card）”