工作原理
Boost电路是一种非常基础且重要的直流-直流升压变换电路。其核心功能是将输入的直流电压升高，输出一个更高的直流电压，且输出电压与输入电压极性相同。
在硬件结构上，BOOST 电路依然使用了熟悉的四大核心元件：电感（L）、开关管（Q，通常为 MOSFET）、二极管（D）和输出电容（C），只是它们的排列位置发生了改变。
开关管导通阶段 (Q1 ON)：电感储能，电容供电
电流路径：当 Q1 的栅极接收到高电平脉冲时，MOS 管 Q1 导通。此时，输入电流从 Vin 出发，流经电感 L1，直接通过导通的 Q1 流向地（负极）。
电感状态：电感 L1 直接并联在输入电源 Vin 两端。L1 中电流线性增加，将电能转化为磁场能量储存起来。
二极管与负载状态：因为 Q1 导通，D1 阳极（左侧）的电位被拉低到接近 0V（地电位），而 D1 阴极（右侧）由于之前电容 C1 的充电，保持着较高的正电压。因此，二极管 D1 处于反向偏置状态，截止不导通。此时，右侧的负载 R1 完全由电容 C1 释放能量来维持工作电压。
开关管关断阶段 (Q1 OFF)：叠加升压，向右释能
电流路径：当 Q1 的驱动脉冲变为低电平时，MOS 管 Q1 关断。Vin 经由 L1 到地的回路被瞬间切断。
电感状态（升压核心）：电感 L1 中的电流无法突变。为了维持原有的电流方向，L1 的磁场急剧坍塌，在其两端感应出“左负右正”的电动势（极性反转）。
二极管与负载状态：此时，输入电压 Vin 与电感 L1 产生的感应电动势串联叠加。Q1 漏极（D1 阳极）的电位瞬间飙升至 Vin + VL1。这个高电压迫使二极管 D1 正向导通。
释能充电：强大的电流冲过 D1，不仅为负载 R1 供电，同时也为刚才处于放电状态的电容 C1 重新充电，补充能量。