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ICM创芯微 CM1003-BES SOT23-6 BMS电池保护芯片

ICM创芯微 CM1003-BES SOT23-6 BMS电池保护芯片
📅 发布时间:2026/7/23 20:27:12

特性
高精度电压检测功能
过充电保护电压 3.500V ~ 4.600V,精度 ±25mV
过充电解除电压 3.100V ~ 4.600V,精度 ±45mV
过放电保护电压 2.000V ~ 3.400V,精度 ±50mV
过放电解除电压 2.000V ~ 3.400V,精度 ±100mV
放电过流保护电压 0.015V ~ 0.250V,精度 ±5mV
短路保护电压 0.065V ~ 0.500V,精度 ±60mV
充电过流保护电压 -0.015V ~ -0.200V,精度 ±5mV
内部检测延迟时间
过充电保护延时 0.25, 0.5, 1.0, 2.0s,精度 ±30%
过放电保护延时 32, 64, 128ms, 1.0s,精度 ±30%
放电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms, 1.0s,精度 ±30%
充电过流保护延时 4, 8, 16, 32ms,精度 ±30%
1.5μA(典型值)(Ta = +25°C)
50nA(最大值)(Ta = +25°C)
0.5μA(典型值)(Ta = +25°C)

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