[导读]过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[1]。此外，这些法规和标准为利用诸如SiC MOSFET等新技术优异的特性，设计出更富创新性的家用电器铺平了道路[2]。采用这些技术有助于制造商获得最高能效等级认证。
过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[1]。此外，这些法规和标准为利用诸如SiC MOSFET等新技术优异的特性，设计出更富创新性的家用电器铺平了道路[2]。采用这些技术有助于制造商获得最高能效等级认证。
引言
不久前，英飞凌推出了一款新开发的高级集成功率器件（IPD）IM105-M6Q1B。IM105-M6Q1B采用7 mm x 7 mm四边无引线扁平封装（QFN），将英飞凌CoolSiCTM技术的诸多优点和堪称行业标杆的高可靠的高压驱动集成电路（IC）集于一体。使用这个集成功率器件（IPD），可以设计出具有更高功率密度的低功率电机驱动器，同时突破限制，扩大无散热片运行条件下的输出功率范围。
如图1所示，设计了一个测试驱动板，用于测试IM105-M6Q1B在典型冰箱压缩机负载状态下的性能。图中还提供了IM105-M6Q1B的框图。IPD的组成部分包括一个SiC MOSFET半桥（在Vgs = 18 V且Tj = 25°C条件下，其典型通态电阻为257 mΩ）和一个基于绝缘体上硅（SOI）技术的栅极驱动器。相比于标准器件的