【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第十篇 芯片设计31 芯片中的参数05
编号 | 类型 | 领域 | 参数名称 | 参数定义与数学表达式 | 物理/工程意义与约束 | 典型数值/范围 (示例) | 关键关联参数 | 知识领域关键词 | 核心分析与设计指导 |
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1561 | 器件/物理 | 负电容晶体管 | 铁电层的标度长度 (t_fe,scaling) | 在负电容场效应晶体管中，铁电层厚度(t_fe)与等效氧化层厚度(EOT)之间满足稳定、无滞回操作所必须遵循的标度关系。通常要求 t_fe 与 EOT 的比值在一个特定范围内，或铁电层本身的“特征厚度”需足够薄以保持单畴。 | 铁电层并非越薄越好，也非越厚越好。存在一个“标度长度”，用于指导铁电层厚度与MOS栅介质(EOT)的协同设计，以确保在获得陡峭亚阈值摆幅(SS<60 mV/dec)的同时，避免双稳态和滞回现象，实现稳定可靠的开关。 | 对于HfZrO₂ (HZO)铁电材料，与EOT ~1 nm的 |