本型号为 Focused Ion Beam (FIB) 聚焦离子束专用集成高压电源适配半导体 FIB‑Column 离子枪控制系统具备多路浮地输出。设备输入为 24Vdc输入容差 ±5%最大输入电流 5.5A1 秒内浪涌电流小于 6A。加速器输出 Acceleration Voltage 最高 35kV额定输出电流 30μA配置浮地 Filament 灯丝、Extractor 提取极、Suppressor 抑制极多路输出配套 Lens 镜头模块最高输出 30kV支持固定 / 可逆极性切换。整机采用 Fiber‑Optic 光纤接口通讯搭载硬件式高压安全互锁 Safety Interlock输出具备超低纹波、高电压稳定度满足离子束刻蚀 (Ion Beam Etching)、沉积 (Deposition) 工况需求为 19 英寸机架式 (19” Rack Mount) 安装结构。环境参数正常工作环境温度 10℃\45℃0℃可工作但需延长预热时间存储温度‑20℃\60℃相对湿度 0‑80% RH无凝露满功率工作海拔上限 2000m。二手保养方面断电充分放电后定期清理风道、散热模组积尘检查 Cooling Fan 风扇工况紧固全部高压连接器、接线端子排查 PCB 板电容有无鼓包漏液每周期校验输出电压、电流精度测试 OVP/OCP 保护功能长期闲置需每月短时通电驱潮禁止带尘、凝露环境上电高压部件禁止非专业拆解。海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。免责声明Disclaimer一、内容溯源与适用范围Source Scope of Application本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件仅用于技术研究、方案对比及行业参考不作任何商业用途。二、内容效力与权责界定Validity Liability Definition本文观点与结论为通用技术参考非设备原厂官方定论不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据未经原厂实测核验不得用于项目验收、举证追责。三、风险承担与合规说明Risk Assumption Compliance Statement使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任由使用者自行承担本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议将及时核实整改。