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GaN 器件第三象限导通特性

GaN 器件第三象限导通特性
📅 发布时间:2026/6/20 13:21:16

GaN 器件第三象限导通特性

2025-11-16 14:35  斑鸠,一生。  阅读(0)  评论(0)    收藏  举报

 一、原理

  The condition to turn on the channel for reverse conduction is the gate to drain voltage Vgd is higher than the threshold voltage (VGS(th)).

  

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二、特性

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